还原炉内雾化

只是我觉得如果三氯氢硅浓度低了的话，同样也很容易在气相发生这样的反应啊....当氢气过量太多的时候，三氯氢硅在气相的反应趋势会更大...........那样的话会导致什么结果呢？沉积速率过慢只是一方面，二氯二氢硅的量是不是也会增加？

配比和炉内温度太低

配比和炉内温度太低

本帖最后由 360785712 于 2009-7-18 02:31 编辑
9#Minos
    我在上面说的只是其中一种原因，其实也有可能是由于温度不稳，尤其是过低，或气体的前期预热不足，也是引发雾状原因之一。
    还有就是本身来料杂质含量过多或产生了二次污染也会造成此类现象。杂质中最主要的就是Bcl3含量过高，如果是这样的话，那是因为在精馏过程中由于与温度设置Hcl、H在塔中的浓度含量等相关原因造成。
    论坛中有提到“B以高沸物形式存在?”的讨论贴中就涉及到很多家都出现这样的问题，就是后者因素。
    在此一并回复算了，精馏过程中当Bcl3含量过高时，会导致低价氯化物的生成甚至是硼的单体：
Bcl3 + H2 = Bcl3 + 2Hcl   （1）
Bcl + 1/2H2 = B + Hcl     （2）
    精馏工艺是没有处理杂质硼的能力的，这个大家是都应该掌握的。因为B的分凝系数是0.8，沸点：2550℃，这样，当杂质的逐渐增多，也就不难检测出超量的B元素了，也就回答了“B以高沸物形式存在?”讨论贴的原因。由于这个原因的产生，就会影响到还原炉中纯硅生成的质量。
    对于比较了解“氢还原法（或热分解）直接生长单晶硅”的朋友，应该知道这个情况的。
    下面是“B以高沸物形式存在?”讨论贴的链接:
      
http://home.hcbbs.com/link.php?url=https://bbs.hcbbs.com%2Fviewthread.php%3Ftid%3D443537