还原炉内雾化

哪位高手能够说明一下还原炉内雾化是怎么产生的，最好能说的清楚一点。还有就是雾化以后应该怎么处理。谢谢！

氢气和三氯氢硅的配比太低，处理方法就是加大配比。

楼主所说的还原炉雾化是否是指视镜干净，但通过视镜看炉内硅棒模糊？
如果是，那可能是由于SiHCl3进炉前气化不充分造成的

进料配比太大了，应该减少三氯氢硅的比重，还与进料温度太低有关

三氯氢硅液体进到炉内了

预热不充分？？

本帖最后由 360785712 于 2009-7-18 02:33 编辑
    三氯氢硅浓度过高是主要原因。硅棒的有效生长面积有限，当被还原的三氯氢硅无法沉积在硅棒时，由于气流的影响，就飘浮在还原炉内，形成雾状，这样生产出的多晶硅一般都对质量有很大影响。

雾化主要是由于TCS的量突然通的太大的缘故，硅棒温度也会突降，只要不是很严重的话降低TCS通入，增加氢气量会慢慢好转的的，注意棒温的保持

本帖最后由 Minos 于 2009-7-10 09:27 编辑
三氯氢硅浓度过高是主要原因。硅棒的有效生长面积有限，当被还原的三氯氢硅无法沉积在硅棒时，由于气流的影响，就飘浮在还原炉内，形成雾状，这样生产出的多晶硅一般都对质量有很大影响。
360785712 发表于 2009-7-7 14:42

                                
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你的意思是雾状的东西可能含有硅油等高聚物了？
三氯氢硅在气相中被还原后，如果没有形成稳定晶核，自由基可能自发结合最终形成高聚物，是这个意思吧？

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你的意思是雾状的东西可能含有硅油等高聚物了？
三氯氢硅在气相中被还原后，如果没有形成稳定晶核，自由基可能自发结合最终形成高聚物，是这个意思吧？
在较宽的温度区间，氯硅烷与氢气等在气相中可发生诸多反应。气相成核晶核大量存在，但是瞬间发生可逆解体。
所以生成低温硅、不定型硅及高聚物均是可能的