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多晶硅倒炉原因大总结

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发表于 2009-11-12 16:37:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

新人,没钱,挣点分。希望大家多支持,希望没有发重复。





多晶硅倒炉情况分析:

1
、刚启动时电流过大,根部发软。
2
、硅芯倾斜

3
、进料时通料过猛,硅芯吹歪

4
、硅芯粗细不均匀,细的地方烧熔

6
、前期倒棒很多是因为石墨卡瓣质量不过关、硅芯装的不直、电流加的太快熔断、横梁搭接不好

7
、运行中倒棒很多时候是与工艺和还原炉设计有关,如运行过程中温度控制不好,混合气进料控制不好,还有就是炉筒水温控制不好导致硅棒外圈偏向里面生长而导致重心偏移

8
、硅棒太长也容易倒棒,国内一般都不超过
2.5m
9、启动是高压产生的磁场不平衡,加上进料的速度和阀门的流量曲线与硅棒的震动不能互消。炉内的磁场主要由炉子决定,也就是由厂家的生产设备的技术研究水平决定的。
10
、一个是该开炉的时候或开炉后不久,造成的主要原因主要是安装硅芯的细节控制问题,方面比较多,可以自己摸索比较简单不多说;还有就是打压电流过高造成的熔断,多注意检查夹瓣和硅芯的接触情况还有横梁的接触情况,多注意问题不大;还有一个就是反应到了中后期由于玉米花过深造成局部电流密度多大造成的倒炉,这比较可怕,后果很严重,
对设备和电气都有很大的破坏性,可以从前期的多晶硅生长控制抓起,避免形成爆米花。

11,启炉时是用氢气启,还是氮气启动,用氮气很容易启成功,用氢气很容易倒硅芯

12
,生长阶段硅棒生长不好,关键部位如根部和横梁没有长好的话,也很容易倒
13
,长时间的空烧,以及突然停电造成硅棒裂开
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发表于 2009-11-14 12:46:50 | 显示全部楼层
补充一点,开车初期硅棒细得时候,如果氢气纯度不高,含HCL得话
。。。。。。、
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发表于 2009-12-16 16:19:27 | 显示全部楼层
好同学,不过不能照抄照搬哦,这个我在其他地方也看到过,你看看第五条没有哦,是不是想让大家发表自己的意见,将第五条补上啊?
哈哈,大家努力了。
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发表于 2011-1-20 16:31:47 | 显示全部楼层
回复 1# huijuju
    11、用氮气很容易启成功,用氢气很容易倒硅芯
我们重来没有用氮气启动过,不知道氮气启动会不会影响硅棒质量。因为我们是抽空后在启动前赶侧路氢的。
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发表于 2011-1-21 01:51:25 | 显示全部楼层
不理解还有用氮气保护启炉的?在硅芯表面形成氮化硅怎么办?启炉时倒大部分是因为硅芯内部质量问题,电阻不均匀,高压下崩裂,加电流以后断裂处烧熔所致
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发表于 2011-1-21 11:28:43 | 显示全部楼层
氮气保护气条件下启炉的硅芯表面温度很低,完全不用担心会氮化,等击穿后用氢气置换干净氮气了再升电流至反应温度的。
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发表于 2011-8-19 19:31:45 | 显示全部楼层
归纳的不错,但这些都是通用的,一些关键的东西还没有说出来,另外要考虑怎么来实现这些总结,如进料过大等,因为这些都是相互影响的,改变了一个,达到的这个目的,但另外一个问题很可能随之出来。
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发表于 2011-8-20 08:01:51 | 显示全部楼层
硅芯弯曲   导致硅棒长粗后应力过大折断的情况有没有?
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发表于 2011-8-21 18:59:14 | 显示全部楼层
启炉时是用氢气启,还是氮气启动,用氮气很容易启成功,用氢气很容易倒硅芯  
求解,为什么?第一次听说这个观点
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发表于 2011-9-1 21:02:43 | 显示全部楼层
难道没石墨的问题嘛 石墨是支撑硅棒的基础 石墨有问题 可是最大的问题 其他的控制的再好也没用啊
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