多晶硅的氮化和氧化是怎么一回事？

发表于 2009-10-21 22:52:36

请问个位多晶硅的行家，用西门子法生产多晶硅，炉子不是要置换干净吗，所谓氮化现象是怎么发生的，是温度高了还是什么原因？氧化有是什么条件下产生的？还请高手指点一下~~~

发表于 2009-10-21 23:31:25

是要置换干净，不过谁能保证100%干净？另外氮气和氧气也有可能混合在物料中

发表于 2009-10-22 08:54:46

氮化有几个方面；包括过程中氮化，和停炉后氮化。过程中氮化主要是指还原反应中的氢气纯度不够，夹杂着氮气浓度较高，使一部分氮气发生反应。停炉氮化主要是指在停炉后，炉内的温度太高，没有进行氢气长时间的降温，而直接进行氮气置换降温，导致硅棒表面被氮化。氧化和氮化产生的机理是类似的。以上仅供参考。哈哈

发表于 2009-10-22 10:52:21

楼上的兄弟，很厉害啊，很热心，支持你，，不错

发表于 2009-10-22 14:55:06

过程中氮化需要进行物理检测才可以检测出来，如果是停炉后氮化会在棒子表面显现出来！

发表于 2009-10-23 11:21:14

过程中出现氮化的可能性不大，除非你的氢气质量太差了。硅棒生产完后应该长时间用氢气冷却降温，是完全可以避免氧化的。

发表于 2009-10-23 11:55:00

还有就是要注意置换氮气管线内漏进入炉内，氢气降温一定要到位。

发表于 2009-10-23 14:54:50

氧化如果不是因为设备里漏水（当然如果用导热油就不会了），就是因为原料气不纯，尤其是氢气不纯

发表于 2009-10-24 09:05:30

置换的前后不是用一些检测手段来分析是否置换干净吗？或者是长久积累的经验，估计在啥时是置换干净的。

发表于 2009-10-24 11:22:40

开炉前，置换前后要测氮气的露点，另外氮气的氧含量要达到标准
停炉，氢气置换完全后，再通氮气置换

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