硅芯击穿的原理

大家都知道硅芯击穿都有哪些方法？

硅辛击穿主要有两种，低温击穿和高温击穿，其原理很简单，硅芯在高温下电阻变小，内电子变的活跃容易形成电流从而形成导体，CVD气相沉积所需温度实则就是高温发热导体（硅芯）给的，低温击穿是在硅芯被等离子加热器提前预热然后用相对较小电压击穿的，一般是二千伏左右，高压击穿无需预热硅芯，直接用上万伏的电压击穿，操作简单速度很快，我们公司就是用的高压击穿

我们这边也是一相一相先打压 逐个再击穿的