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硅芯击穿的原理

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发表于 2010-1-7 12:34:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
硅芯击穿是否给硅芯通电流,然后通过硅芯发热升温,最后变成导体?
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发表于 2010-1-7 13:45:46 | 显示全部楼层
都是同时进行的,击穿不是一瞬间的事
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发表于 2010-1-7 14:43:25 | 显示全部楼层
预热后电流通过变成导体发热,你说的顺序不对。
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发表于 2010-1-12 14:52:54 | 显示全部楼层
简单的说雪崩原理么?
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发表于 2010-1-12 15:18:42 | 显示全部楼层
可以高压击穿,也可以预热后低压击穿;前者危险,后者麻烦
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发表于 2010-1-13 11:21:47 | 显示全部楼层
高压击穿比较快,就国内目前的工艺技术来说也没啥危险的吧。
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发表于 2010-1-13 14:09:04 | 显示全部楼层
高压击穿对电气绝缘要求较高省人力,预热击人工步骤多。
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发表于 2010-5-1 11:20:22 | 显示全部楼层
首先要了解原理,高压击穿的原理非常简单,就是高压形成很强的电场,在强电场的巨大电场力作用下,任何绝缘介质里的电子都有可能被从原子里强行拉出来作为电流的载体。
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发表于 2010-5-1 19:01:40 | 显示全部楼层
LS的同志在还原呆过吗?
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发表于 2010-5-8 12:54:36 | 显示全部楼层
兄台言之有理!国内高压击穿用的最早应该是739,现在无锡中彩、四川瑞能都用高压击穿。 8# zybrong
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