还原炉内产生SiH3Cl的原因是什么？

发表于 2011-2-24 14:48:28

还原炉内产生SiH3Cl的原因是什么？主要是还原尾气分析中SiH3Cl的百分含量居然达到10%？？

发表于 2011-2-24 15:23:30

这个问题真得期待高人解答

发表于 2011-2-24 17:38:54

你怎么知道有10%的三氯氢硅？
确定吗

发表于 2011-2-25 10:06:50

恐怕是SiH3Cl可以由SiH4与HCl在AlCl3催化下反应得到

发表于 2011-2-25 10:07:03

恐怕是SiH3Cl可以由SiH4与HCl在AlCl3催化下反应得到

发表于 2011-2-25 11:24:24

SiH3Cl可以由SiH4与HCl在AlCl3催化下反应得到
这个有几种可能：1.在ＴＣＳ合成是产生SiH4和AlCl3，在精馏工序是没有提出，进入还原炉是产生SiH3Cl。
　　　　　　　　２、在还原炉中氢气和硅反应生产SiH4在AlCl3的催化作用下生产SiH3Cl。
　　　　　　　　３、也有可能是ＤＣＳ转化而来，

发表于 2011-2-26 10:25:31

回复 1# kitewxg
很正常，多余的SiH3Cl反应不完全，尾气中就带有SiH3Cl！

发表于 2011-2-26 14:48:39

回复 6# luoye888 请问您的依据是什么？可以有一些关于SiH3Cl的文献资料为证吗？

发表于 2011-2-27 16:25:10

温度低了，温度场的分布有关。

发表于 2011-2-28 01:47:17

有其实很正常，有可能是三氯氢硅过多造成的，可能是副产物四氯化硅和二氯二氢硅转化来的，有可能是四氯化硅还原货分解的来的，个人觉得由SiH4与HCl在AlCl3催化下反应得到不太现实，因为现在精馏已经很成熟，精馏过的产品中像AlCl3这样的重组分不会存留在产品中的。

账号		自动登录	找回密码
密码			立即注册