请问用ICP-MS如何检测三氯氢硅中金属杂质？

发表于 2008-4-10 14:06:55

请问用ICP-MS如何检测三氯[wiki]氢[/wiki]硅中痕量的金属杂质？新人求助啊，不知道如何去做三氯氢硅的前处理。听说很多人做了实验可是方法不是很好，最终以损害仪器为代价。希望有高手贡献些参考资料或者操作经验给与分享！谢谢

发表于 2008-4-23 15:45:32

哪位知道ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）与ICP-OES（电感耦合等离子体发射光谱仪）在三氯氢硅分析中的区别？

发表于 2008-4-29 15:41:34

不同的仪器恐怕要看仪器的使用说明了。

发表于 2008-5-5 14:03:09

你们公司用的什么仪器，怎么分析的？

发表于 2008-5-25 09:02:35

总体来说，ICP-MS与ICP-OES相比较为何灵敏度更高,检出限更低,

发表于 2008-6-3 16:22:41

仪器调试好,样品准备好后,进样.
不过,要注意干扰的影响.

发表于 2010-8-1 09:15:29

回复 2# goonchong
分析杂质的数量级不同，MS是PPT、OES是PPM级的，测量的范围MS比较宽

发表于 2011-1-30 14:08:50

挥发或者水解！！

发表于 2011-8-15 13:55:11

ICP-MS 检测方法和ICP—OES基本一样的，只是检出限高些。

发表于 2011-8-16 11:19:09

分析方法不同，检测限也不同，用ICP-MS做三氯氢硅分析，大才小用

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