三氯氢硅合成反应的问题

各位大大：
多晶硅新人请教，若进TCS合成炉反应的HCL中有大量的H2，譬如H2含量高达50%，会不会导致合成反应无法进行？
谢谢！

反应是肯定的，关键是H2带走的热量和另外50%HCl和Si反应产生的热量哪个多。ok？

反应会有，产率很低，后期系统里不凝气体增多

只要达到氯化氢和硅粉的反应温度，反应就会进行。

xingjisanbing 发表于 2014-2-19 11:28

                                
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反应会有，产率很低，后期系统里不凝气体增多
不是很理解“产率低”的说话，个人认为HCL与Si属于快反应，几乎不受化学平衡的影响，尽管H2含量高达50%，但是Si还是反应完全了。

H2会带走大量的热，使反应温度达不到或者稳定不了在反应最佳温度，三氯氢硅产率就低了，HCL与Si反应可是有三种产物的。

xingjisanbing 发表于 2014-2-19 11:47

                                
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H2会带走大量的热，使反应温度达不到或者稳定不了在反应最佳温度，三氯氢硅产率就低了，HCL与Si反应可是有三 ...
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請教HCL和Si反應為TCS和H2這兩個產物,第三種為何產物?
至於合成爐中後期會出現惰性氣體,這是由Si粉輸送的氮氣累積而來的嗎?還是因為反應生成的??
請解答一下,謝謝.

jioquei 发表于 2014-2-20 08:47

                                
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請教HCL和Si反應為TCS和H2這兩個產物,第三種為何產物?
产物主要是三氯氢硅和四氯化硅，在温度最佳时，三氯氢硅含量能有85%到95%，如果反应温度在280度左右的话，会产生不高于10%的二氯二氢硅，同时三氯氢硅产率也比较低。不凝气体主要是HCL合成中过量的H2，输送硅粉带来的氮气反而在正常的生产过程中不多。

不会导致反应无法进行！相反，我认为增大H2与HCL的比例，反而会增大TCS的产率！
我们生产上也做过实验，H2：HCL比从1:3提高到1：1，TCS的选择率增大！当然前提是流化床温度、压力都控制不变的前提！

路过学习下~~~