多晶硅还原炉

发表于 2008-9-10 19:50:10

这张是还原炉的多晶硅照片图，多晶硅只沉积在硅棒，而在还原炉的底部没有，沉积条件怎样，原理是什么，为什么下部较光滑而上部粗糙？欢迎对多晶硅有兴趣的朋友，发表自己的看法

[ 本帖最后由 jk001007 于 2008-9-10 20:03 编辑 ]

发表于 2008-9-11 08:09:45

上部由于横梁搭接处横梁和硅棒互相辐射导致温度较高，生长的快

发表于 2008-9-11 08:37:22

本帖最后由 mian726 于 2012-1-8 22:21 编辑
只沉积在硅棒是因为硅棒是通电后发热，使得硅棒本身温度很高，从而达到反应温度而沉积在其表面；而其他部分如底盘未反应是因为其温度相对较底，而且还有冷却水进行冷却，所以不会在这些部位进行反应。
上部不光滑是因为热辐射较多，造成表面发热不均，从而沉积速度不一样。

发表于 2008-9-14 09:09:19

电极部位有待改进

发表于 2008-9-15 10:56:27

我觉得这个跟气体的流向和流速都有关系

发表于 2008-9-16 23:43:12

根本原因是反应速率的不同，气速、温度是引起反应速率不同的主要原因。对于多晶硅的反应到现在根本就没有一个明确的说法

发表于 2008-9-16 23:48:54

一看就知道和温度有关系...

发表于 2008-10-29 21:07:40

硅心短了炉桶大控制温度

发表于 2008-10-31 10:39:13

硅棒通过电极加热维持反应温度，硅棒变粗气体流量加大。快速率太阳能级多晶硅沉积反应器的沉积速率约30公斤/小时。

发表于 2008-10-31 13:16:13

是9对棒啊
顶部温度过高了
底部要有那也是粉末

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