多晶硅生产中C和CH4的带入和产生原因 请指点一下
多晶硅生产中C和CH4的带入和产生原因?多晶硅生产中C和CH4的带入和产生原因?
l4u 发表于 2011-10-12 23:31
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1.热氢化的转化炉中会带入C。
2.回收车间碳塔也会带入C。
3.系统中的C与氢气反应就会产生CH4。 对楼上的补充说明:还原炉中的石墨有可能与氢气反应将碳带入系统。 谢谢你们的分析,学习啦! 我们这里会定期分析精馏工段和回收氯硅烷里面的C 这是那里来的呢
C存在气相中就是CH4吗 在氯硅烷中是什么形式呀小白不理解 请教 C的来源除了一楼说的之外,还有就是TCS合成中工业硅的带入,这部分是液态形式存在,进入还原炉可能会形成CH4(高温)反应,另外,氢化系统属于连续运转,石墨棒也会带入!楼主需要搞清楚一下多晶硅的全过程原料,采用排除的方法就可以得到结论! 测甲烷其实就是测总碳, CDI活性炭柱也会引入C,氢气回收为闭路循环,而活性炭柱对C合物基本不具备脱除和控制手段,故而又会有累积效应 C的带入主要是合成、尾气、氢化还原,在氯硅烷中主要为甲基氯硅烷形式存在。 回复 8# zhengjiulu
请问吸附塔活性炭具体是如何引入C的 或者说有什么反应?我们公司好像就是用活性炭吸附CH4啊,定期对氢气进行CH4含量 难道不是去除C吗?
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