l4u 发表于 2011-12-15 23:40:56

另外如果多晶硅产品中C含量增加排除设备的影响 应该对那些工段位置进行分析检验来查找原因啊？

maxwell_112 发表于 2011-12-15 23:42:18

还原、氢化石墨件、4F材料
CDI活性炭
提纯吸附柱
合成中的硅粉
装置漏油
以上都可带入C

l4u 发表于 2011-12-17 16:01:16

我的意思是说单纯分析检验方面 进行那些工序上的分析能进行初步的确定 例如你说的氢化炉材质 则是可以通过氢化尾气来分析其含量变化

chizhongjiao 发表于 2011-12-17 23:42:49

主要通过精馏塔除去含碳化合物，碳在系统中主要以甲基氯硅烷形式存在，此物难以检测，最好当你多晶硅中出现含量上升时，调整精馏工艺除去！

l4u 发表于 2011-12-18 13:41:31

精馏应该可以除去甲基氯硅烷 我们做过实验 精馏后明显降低
但是回收工段氯硅烷精馏过程就少了点 不知道去除彻底不而且气相中的C又怎么办呢

yxiao9 发表于 2011-12-18 23:40:41

还原炉中的石墨有可能与氢气反应将碳带入系统，还有其他的地方！尾气等

yizhuxuan 发表于 2011-12-22 14:51:15

还原炉中的石墨有可能与氢气反应将碳带入系统，还有其他的地方！尾气等
yxiao9 发表于 2011-12-22 14:51

                              
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你说的应该是热氢化炉吧。

yxiao9 发表于 2011-12-22 16:28:55

回复 17# yizhuxuan
    有的，下面用来导电的！
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查看完整版本: 多晶硅生产中C和CH4的带入和产生原因 请指点一下