多晶硅与单晶硅的扩散比较

　相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显,在扩散温度较低时,多晶硅扩散后的
方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅;在扩散温度较高时,多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅,文
章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释。
格式PDF
阅读权限：
30
[ 本帖最后由 yunzhongwu6753 于 2008-11-9 21:52 编辑 ]