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硅棒生长中出现分层是怎么回事?

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发表于 2008-11-5 08:42:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,大家都来讨论一下
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发表于 2008-11-6 10:05:15 | 显示全部楼层
版主也在多晶硅行业工作吗?
一般而言,是系统的杂质沉积到硅棒上以后产生分层
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 楼主| 发表于 2008-11-6 10:42:04 | 显示全部楼层
是的。我师父说是温度低造成的,不太明白道理。你能否解释一下
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发表于 2008-11-6 11:31:37 | 显示全部楼层
你师傅说的叫温度夹层
我说的叫氧化夹层
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发表于 2008-11-12 16:16:41 | 显示全部楼层
硅棒生长中出现分层一般有两个原因可以造成:
        一、是系统温度低造成的,但是目前来看,这种情况发生的概率应该是极低的,因为大部分设备都可以做到自动控制温度;
        二、是由于生长环境中含有杂质沉积到硅棒上产生了氧化夹层,炉内的杂质主要应为微量氧或水蒸汽类(因未到现场,本人仅做为经验猜测)。

        提供线索仅供参考,最有可能的原因为:供气系统所提供的气体不达标所致,可先检查各供气系统。

        说白了就是你们的还原系统提供给硅棒生长的气体不纯所致。

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 楼主| 发表于 2008-11-12 19:06:54 | 显示全部楼层
我前面已经说过了,是温度夹层。
还有,自动控温不现实,还没找到能测准温度的仪器,所以,还是要靠老师傅的眼睛
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发表于 2008-12-14 15:02:04 | 显示全部楼层
氧化夹层,是氧和水分造成的,还有杂质
温度夹层,是无定形硅造成
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