四氯化硅制氮化硅的工艺

一种合成工艺：一1、超细氮化硅微粉气相合成新工艺，工艺中采取四氯化硅和液氨为基本原料，在密闭容器内加热完成气相合成，再经热处理获取高纯度Si3N4晶粉，其特征在于该合成工序是在以等离子弧为热源的密封反应器内完成的，具体工艺流程如下： a、氮化反应器环境，保持反应器负压为50—110cm水柱， b、液态原料的蒸发与定量传输，将液态NH3和四氯化硅按重量比1∶ 1．5—1．9，分别置入蒸发器内，转化为气态按重量比转化的流量比同步注入等离子反应器， c、在设定温度下完成氮化硅合成，设定合成温度为1000℃—150 0℃之间， d、生成物淬冷细化：将反应生成物引入淬冷沉降器，沉降器内环境温度梯度为每自由沉降4分之一秒温度下降0．5—1．2个绝对温标， e、布袋收集， f、加热后处理，在真空干燥箱内加热到300—450℃，维持2—3 个小时除去温在产品中的氯化物。