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多晶硅  还原气分离

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发表于 2009-2-9 14:08:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
多晶硅  还原气分离
       多晶硅尾气各主要成分的体积分数分别为,HCl 30%;H2 64.2%;SIHCl3 5.4%;其他0.2%。多晶硅尾气均为可回收的产品或可循环使用的原料。对尾气进行有效的治理,不仅可以提高原料的利用率,还可以降低三废的排放量。为了合理治理尾气,必须根据尾气的特性、成分、压力等,选择适当的工艺流程和技术条件。
     利用以上几种组份的沸点差异、溶解度差异和在吸附剂上附着能力的差异,可以将以上几种组份完全分开。我公司开发了以下两种工艺技术处理多晶硅尾气:
分离方法:
1、  冷凝吸附法
     多晶硅尾气进入冷凝分离系统,增压后的合成气被降温,氯硅烷和氯化氢被分离出来,然后通过精馏将氯化氢和氢气分离,氢气进入吸附精制系统,得到高纯度的精制氢气。
     冷凝分离系统由制冷压缩机组、精馏塔和泵组成,吸附精制系统由吸附塔、加热器和冷却器组成。
2、  变压吸附法
     变压吸附系统由吸附塔、换热器和缓冲罐和组成。任意时刻都有吸附塔处于吸附状态,其余处于再生状态。通过氢气、氯化氢、氯硅烷在吸附剂表面上吸附能力的差异,将氢气、三氯氢硅、氯化氢分离开。吸附剂通过升温和降压的方式得到再生。再生结束,吸附塔又重新具备处理三氯氢硅尾气并生产氢气的能力。
     经过这一系列过程后吸附塔便完成了一个完整的“吸附-再生”循环,又为下一次吸附做好了准备。各吸附塔交替进行吸附、再生,即可实现气体的连续分离与提纯。
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发表于 2009-2-10 11:50:45 | 显示全部楼层
体积分数中HCl的含量高了些,不知道还原炉的具体控制条件?
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发表于 2009-2-10 12:56:14 | 显示全部楼层
变压吸附是怎么把三种物质分开的啊
请楼主详细讲解一下
谢谢
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发表于 2009-2-11 16:54:13 | 显示全部楼层
还原尾气经过过滤除尘冷凝分离组分
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发表于 2009-2-11 19:47:30 | 显示全部楼层
这位大哥,您说的这个尾气成分里面四氯化硅的含量是不是太低了呢,此外,如果含氢量只有百分之六十几的话,炉内的反应也不是很好,视镜上很容易变得雾蒙蒙的。还望赐教,谢谢
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发表于 2009-5-14 16:02:04 | 显示全部楼层
LZ的组分应该是三氯氢硅合成尾气吧
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发表于 2009-5-30 16:37:13 | 显示全部楼层
谁有吸附剂成分?
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发表于 2009-6-14 15:04:06 | 显示全部楼层
HCL成分超高!
主要还是H2和SIHCL3!
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发表于 2009-6-17 00:02:10 | 显示全部楼层
LZ不是搞多晶硅的吧
HCL的含量不会超过10%
尾气中应该会含有百分之几的STC
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发表于 2009-6-17 00:05:27 | 显示全部楼层
那是由于有低温反应,生成了硅油
此外炉壁会长大量的不定型硅和硅氯化合物
5# 忧郁小精灵
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