影响硅棒生长速度的原因

发表于 2009-12-3 17:21:37

在温度不变的情况下，是不是炉内的压力越高那么硅棒生长的速度越快呢

发表于 2009-12-3 19:06:57

压力越高长的确实要快一些，，但是我们公司加压出来的产品质量不是很好，特别是在外观和晶行方面不是很理想！！现在下游厂家对多晶硅的质量那是挑三拣四的啊！

发表于 2009-12-3 19:55:41

压力越大，反应速度越快，但是容易造成过大TCS浓度而成popcorn，而且反应快了吸热越多，电流增加的越快，容易倒棒

发表于 2009-12-4 18:35:25

2# cdwenjian
你说的是不是因为长快了硅棒的致密度不好呢

发表于 2009-12-5 17:14:40

压力太高的关系吧

发表于 2009-12-5 17:22:35

加压是快，但是大流量进料TCS汽化更重要

发表于 2009-12-6 20:53:07

加压实际上是增加了三氯氢硅的流量，沉积速度是快一些。

发表于 2009-12-7 20:33:34

加压对成晶有影响

发表于 2009-12-8 08:44:07

理论说是压力越高越好，但是压力同样存在一个平衡点，这与炉子的设计参数和性能密切相关，承受力，涉及到气体流场分布和电生磁的影响。还有压力大了，电耗随之加大，必须考虑电耗与硅棒价格之间取舍，不能一味地追求硅棒的质量反而利润倒贴，那就不划算咯。

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