多晶硅生产中露点等几项指标的控制

发表于 2009-10-16 08:57:32

1：主要原辅材料
      1
〕纯SIHCL3:：Fe≤ 10ppb  B≤  0.03ppb  p ≤ 0.1ppb Al≤  10ppb
      纯H2:露点
　≤ -50℃ O2≤  5ppm
      2〕硅芯：直径￠7-8mm
有效长度：2.800米
N
型：电阻率50～250欧姆
弯曲度：
≤3/1000
3〕：N2气：含N2 ≥ 99.99％，氧 ≤5PPm
      露点：≤-50℃
4〕：纯水：电阻率 10≥欧姆 , Al≤ 4ppm Cu≤ 0.8ppb  Ca≤ 4ppb B≤ 0.3ppb
      P≤ 0.5ppb
5〕石墨：光谱纯，调密质，内部结构均匀，无空洞，灰分≤ 0.01％，比电阻≤20欧姆

抗压强度≥900kg/cm2，假比重≥1.8g/Cm3
      硬度45-80Kg/Cm2,加工成型后，经水浸泡，纯水煮至中性，干燥，高温煅烧后备用

发表于 2009-10-16 09:43:13

不知道这个控制指标是哪个多晶硅厂的，看起来要求很低的哦！

发表于 2009-10-16 13:26:47

这是别人找我们给他选露点仪时给的指标，难道在具体生产中比这个更高吗？

发表于 2009-11-11 15:02:57

呵呵，这个参数好少啊，要是齐全点也好啊

发表于 2009-11-23 23:18:55

谢谢分享！！！！！！！！！

发表于 2009-12-11 16:45:13

谢谢你，学到了很多，会继续学习

发表于 2009-12-13 11:27:20

B，P还可以
氢气氮气的露点太低了，氢气最好是-60度，氮气根据公司实际调整

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