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多晶硅精馏工艺 懂的进来聊聊

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发表于 2009-11-20 11:04:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
多晶硅精馏工艺过程中,替代三氯氢硅浓度的间接质量指标是什么?温度还是其他?是不是双温差控制系统?
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发表于 2009-11-21 09:58:31 | 显示全部楼层
对三氯氢硅纯度的判定温度和压力就可以了,对杂质含量就很难说了,毕竟是微量,最终还得靠提纯塔的稳定操作。
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发表于 2009-11-22 10:36:20 | 显示全部楼层
根据温度压力变化范围检测一下三氯氢硅的浓度,最后确定一个质量比较稳定的温度压力变化范围,以后就可以根据这个范围来操作了。
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发表于 2009-11-24 11:28:46 | 显示全部楼层
监控好原料杂质含量,稳定精馏塔压力温度就可以了
重要的是稳定操作,毕竟是微量杂质,有波动也在温度压力上反应不出来
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发表于 2009-12-15 20:55:41 | 显示全部楼层
微量杂质的含量控制在多少?
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发表于 2009-12-15 20:56:57 | 显示全部楼层
对于多晶硅,杂质含量就是致命的问题,所以,精馏工艺的控制仅仅靠温度和压力如何能判断杂质的含量呢?
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