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硅芯电阻与温度关系?

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发表于 2011-12-28 13:35:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
请问各位坛友,硅芯击穿后硅芯电阻随温度的变化是怎样的?有没有公式?另,有哪些书关于这方面的东西,介绍一下。谢谢!
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发表于 2011-12-28 19:09:58 | 显示全部楼层
多晶硅硅属于半导体,因此其电阻随温度的变化也符合半导体性质:
R=ae(b/T)
其中a、b为常数,与多晶硅本身的性质有关,可以通过实验获得;
T为开尔文问题,即绝对温度。
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发表于 2011-12-28 19:23:05 | 显示全部楼层
根据理论,温度高电阻小,因为自由由电子多,Si属于半导体材料,你可以看看半导体的书籍
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 楼主| 发表于 2011-12-29 11:36:33 | 显示全部楼层
回复 2# maxwell_112
   谢谢你的回复,给我提供了一个方向,我会再找些这方面资料看看
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