氢化炉的操作压力和温度是多少？

发表于 2009-12-23 16:17:38

本帖最后由 zjiris 于 2009-12-23 19:13 编辑
看过一个帖子，氢化“在400～500℃温度、1.3～1.5Mpa压力下，SiCl4转化反应”，

请各位坛友讨论下,出操作条件是否可行

发表于 2009-12-23 17:31:28

压力再高点就是冷氢化了

发表于 2009-12-24 00:17:16

有的反应么？

发表于 2009-12-24 08:17:03

热氢化的话温度1600度

发表于 2009-12-24 09:08:05

热氢化温度在1100度以上，低温氢化温度在500度左右，压力15公斤左右

发表于 2009-12-24 11:10:26

低温氢化也是用石墨棒吗？

发表于 2009-12-24 17:50:29

据说——热氢化温度在1250度以上，压力6公斤左右.
哪位给出个权威的参数？

发表于 2009-12-24 20:10:02

新光三年前就是用LS的条件进行热氢化
但是现在温度降了，按照1250度，石墨发热件上很快就沉积了硅，然后就放电打火很容易烧坏设备，另外据说现在压力也继续往上提了，虽然加压并不利于这个反应平衡，但是浓度提高了，速率快了

发表于 2009-12-28 14:22:12

楼主所述是冷氢化的参数，但是如果选用合适的催化剂，可以将温度降至400度左右，压力降至12Kg左右

发表于 2009-12-29 10:24:46

冷氢化是四氯化硅、氢气、硅粉和催化剂在一定温度压力下转化为三氯氢硅，不用石墨棒

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