多晶硅棒检测的常规标准

多晶硅棒检测的常规标准是通过浮区熔化晶体生长和光谱分析这个标准是在指定固定的F1732的条件下发布的。一年起初通过的，或的正在修订的，或一年最后修订的数据随后会在指定的期刊公布。圆括号内的数据表示最后批准。上标用希腊字母五表示一篇社论的更改自上次的修订或批准。
简介这种方法取代方法F 574和实践法F 41 。方法F 574和实践法F 41现已被废弃，它们是描述多通过分区和真空地带的做法，和电阻率测量来计算杂质浓度。经过分区和分析，通过分光技术，以确认和量化离子受体和施主元素的方法已被废弃。扩大抽样计划，使用的参考标本，和对采样锭的实验以改善这些标准。
1.范围1.1这种实验建议通过对样品的区熔来制备多晶硅棒样品和单晶的生长。通过分光光度计的方法对单晶硅锭分析的结果发现有微量杂质在多晶硅。这些微量杂质受主杂质（一般是硼或铝、或二者都有），施主杂质（一般是磷或砷、或二者都有），和碳杂质。
1.2要求受主杂质硼的浓度范围为0.002～100ppba，对杂质碳的要求浓度范围为0.05～5ppma。通过对采样的锭进行红外和荧光的光谱分析得到了这些杂质元素的含量。

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