多晶硅生产中硅棒粗糙是什么原因造成的

发表于 2010-4-23 15:47:36

我再生产中发现硅棒有时候会凸凹不平，这是为什么？是因为温度不均匀造成的吗？还有有时还有硅棒下部很光滑，上部却是凸凹不平

发表于 2010-4-23 16:45:53

你说的凹凸不平是爆米花吗？一般容易出现在硅棒的上部，特别是横梁桥接处，个人觉得主要原因是上部温度比较高的原因，还有就是氢气的量不够，上部就更缺乏了。

发表于 2010-4-23 20:23:30

原因很多，个人认为：１＼棒的形成中电阻变化引起的。
　　　　　　　　　　２＼电流变化形成。
　　　　　　　　　　３＼物料配比不均。

发表于 2010-4-26 16:00:42

主要原因是气体在还原炉内分布不均造成的，炉内外压差小，气体不能到达还原炉顶部，使硅棒上部温度较高，导致硅棒上部“菜花”状较严重。
因此改善气体在还原炉内的气流分布是减少菜花状的关键。

发表于 2010-4-26 18:10:57

对于这个“油菜花”，我认为，不管说电流还是电阻，关键的问题在于还原炉上部气流流动不均匀，产生了气流的湍动，硅棒生长自然不会均匀，电流电阻的不均匀自然表现出来了，所以电流电阻不均匀只是个表现，起初它不是“因”，是“果”，而后就因果相互影响了，所以小的认为要强化精细操作，现在很多公司DCS工业务知识太差，专有技能就是开关阀门

发表于 2010-4-27 09:15:15

加大气流速度就可以很快解决这个问题还可以适当调低温度

发表于 2010-4-27 10:34:11

上下部的差异应该是温度造成的，硅棒上部和下部有温差，还有就是现在加压生产单位时间进料量大沉积不均匀。

发表于 2010-4-27 11:41:39

气体流动速度低，混合比偏小造成的

发表于 2010-4-27 15:25:02

多晶硅生产过程中的还原反应时一种气相沉积反应，影响硅棒表面质量的因素有很多，主要有温度效应和扩散效应。
温度的波动都会导致多晶硅表面沉积速率的波动，从而导致硅棒表面生长速率不均匀进而形成小突起最终形成“玉米粒”。
扩散效应的影响：在生产过程中，多晶硅表面被灼热的气体层包裹，如果反应混合气在多晶硅表面某些部位不足以消除这些气体层，就会在这些部位形成小点的突起进而长成“玉米粒”。
混合气浓度的局部变化以及沉积速率超过饱和速率都会导致多晶硅表面生长畸形。
.......

发表于 2010-4-27 15:31:08

下部光滑是由于靠近混合气喷嘴，气速大，消除了气体边界层，减少了混合气扩散到硅棒表面的阻力，沉积速度变快而均匀

账号		自动登录	找回密码
密码			立即注册