氮气和硅的反应

发表于 2010-6-12 10:13:12

还原炉氢气置换氮气的指标各不相同，我们是要求氢中含氮0.3%，有的说要求氢中含氮10PPm以下，说会生成氮化硅，低温下也能生成一小部分，我觉得氮化硅生成的反应温度在1300度，还原温度应该达不到的，所以没必要要求氢中含氮10PPm以下，大家觉得呢？

发表于 2010-6-12 15:32:58

Si3N4在1200下就有了，最好不能有一点N2，3SiCl4 + 2N2 + 2H2 = Si3N4 +12HCL
STC与N2反应产生大量的HCl 严重影响转化率。低于10ppm很有必要。

发表于 2010-6-12 16:57:01

氢中氮含量过高会生成Si3N4，由于和多晶硅的材料性质不一样，在停炉时，很容易造成多晶硅棒裂棒，从而造成倒炉。

发表于 2010-6-12 17:20:26

我认为1300度*与氮气的最佳反应温度而低于该温度比不是说就不反应

发表于 2010-7-14 20:24:47

学习了！非常谢谢！

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