提高多晶硅还原过程的沉积速度

发表于 2010-8-8 19:45:12

多晶硅生长过程中如何提高沉积速度？
目前国内的生产厂家12对棒和24对棒都能达到什么样的水平？
请各位大侠不吝赐教！！！

发表于 2010-8-8 20:58:05

我说个12对棒的 15kg/h左右。24的大家猜猜。

发表于 2010-8-10 21:26:20

24对棒的差不多可以达到60KG/H吧。。

发表于 2010-8-13 11:16:09

关于多晶硅还原生长速率可以从以下三个方面去出发考虑，1.严格控制炉内反应温度，因为在1080度左右最有利主反应进行，这个主要靠精确的测温装置和认为经验判断。2.在工艺条件许可的前提下，可以适当的提高炉内的压力。压力的提高也是最显著，最可以实现的因素。3.可以加催化剂，当然，这个不可能实现，因为对硅棒的生长有影响。

发表于 2010-8-13 11:40:57

硅棒生产速度与温度压力有关外，还与物料投入的比例、自身还原炉的设计等有关，需要长期摸索。可以通过建立数据模型图掌握规律。当然生长速度太快会影响硅棒质量的。

发表于 2010-8-14 10:31:54

8～9天差不多，加压炉？

发表于 2010-8-15 19:23:00

多晶硅沉积速率和温度的控制有很大的关系，另外加压会提高沉积速率，进料量的控制也是
非常重要的。

发表于 2010-8-15 19:35:29

如何有效提高沉积速度才是大家关注的啊！我们的水平与国际的差距有大？

发表于 2010-8-15 22:48:39

1080度
配比
压力
这是基本的条件，大家都知道但关键还是看个人的技术啊。

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