多晶硅生产主要技术指标

发表于 2010-8-6 16:15:54

国外主流大厂
国内领先水平
CVD反应炉
产量（吨）

3
运转时间（天）

5-7
还原耗电

100-150
反应温度

1100-1200
转换率

20%
沉积速率（微米/分钟）

硅棒
直径（毫米）

100-120
数量（根）

24-48

发表于 2010-8-6 16:27:21

出入的确相当大...国内领先水平应该是3天出3.2吨，电耗60~70，温度950~1150，收率12~14%——基于24对棒

发表于 2010-8-6 16:31:13

回复 2# Minos
平均水平呢。。。

发表于 2010-8-6 16:32:31

平均水平就不好说了，各家水平参差不齐

发表于 2010-8-6 16:35:49

回复 4# Minos
那种非主流不考虑的话，上述数值大致会在什么范围比较合理呢，最起码懂行的人看起来不是个笑话

发表于 2010-8-7 10:53:17

我感觉电耗没有那么大呢，还有温度也没有那么高，肯定低于1100度！

发表于 2010-8-13 14:25:03

回复 2# Minos
这个参数的确可以说*内领先水平了。

发表于 2010-8-23 00:49:40

还原电耗目前国内好的厂家在70度以下。

发表于 2010-8-23 14:38:06

单纯追求沉积速率，质量如何呢？几等品？

发表于 2010-8-27 20:12:43

还原炉压力呢你们厂的都是多少呀

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