多晶硅生产工艺中的分析项目

多晶质量检验
抽样范围：生产中沉积的多晶硅
被测性能：外观及断面检查型号、电阻率、氧、碳含量，重金属杂质含量
1〕：基磷电阻率和寿命：取300毫米长的多晶棒段H2气氛下区熔一次检测
次数：￠≤40毫米硅棒：全检回收料不定期抽样
检验仪器：区熔炉，回探针电阻率测试仪，小数载流子寿命测试仪
2〕基硼电阻率：从试验棒上取￠150×200 毫米，磷硼检验炉
        次数：批量的20％        
        检验仪器：        区熔炉，回探针电阻率测试仪，
3〕氧、碳含量—从多晶硅棒上取片检测
次数：按要求抽查
检验仪器：室温红外分光光度计
4〕重金属杂质：硅芯表面金属杂质的含量，电感耦合等离子体质谱仪
        次数：每年不小于45次
5〕断面腐蚀：肉眼检测几何形状和表面状况
        次数：100％
〈二〉工艺技术规范
        1：主要原辅材料
        1〕纯SIHCL3:：Fe≤ 10ppb  B≤  0.03ppb  p ≤ 0.1ppb   Al≤  10ppb
        纯H2:露点 　≤ -50℃    O2≤  5ppm
        2〕硅芯：直径￠7-8mm
有效长度：2.800米
N型：电阻率50～250欧姆
弯曲度：≤3/1000
3〕：N2气：含N2 ≥ 99.99％，氧 ≤5PPm
        露点：≤-50℃
4〕：纯水：电阻率 10≥欧姆 , Al≤ 4ppm   Cu≤ 0.8ppb  Ca≤ 4ppb   B≤ 0.3ppb
        P≤ 0.5ppb
5〕石墨：光谱纯，调密质，内部结构均匀，无空洞，灰分≤ 0.01％，比电阻≤20欧姆
        抗压强度≥900kg/cm2，假比重≥1.8g/Cm3
        硬度45-80Kg/Cm2,加工成型后，经水浸泡，纯水煮至中性，干燥，高温煅烧后备用
ICP-OES:电感耦合等离子体发射光谱仪
ICP-MS :电感耦合等离子体发射质谱仪
GC-MS :电感耦合等离子体发射质谱仪-气相色谱联用分析

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    学习了。我正在准备一个多晶硅项目的测试中心，可以给个联系方式吗？
我的邮箱：zhang9677@263.net。谢谢！

宁夏多晶硅分析技术群：119267012

用气相色谱分析物质组分，如DCS、TCS、STC等。
用ICP-MS分析微量杂质。如P、B、Fe