在多晶硅反应中气体的成分变化与温度的关系

发表于 2010-2-28 12:20:19

期待高手解答。。

发表于 2011-3-6 20:29:32

这么长时间了，怎么没有人回答啊》

发表于 2011-3-6 23:15:30

理论上，低温或过高的温度以三氯氢硅热分解为主，1050-1080以三氯氢硅的氢还原为主，前提是三氯氢硅和氢气的配比及通料量要合理。而三氯氢硅和氢气的配比、通料量又与还原炉的压力有一定关系。
确切的数学表达未看到，一般根据本单位的实际生产经验摸索调整。

发表于 2011-3-7 13:19:52

温度高，TCS配比大有利于提高沉积速率。
所以硅棒长够粗了要多加电流多提料，提高TCS配比

发表于 2011-4-1 10:13:49

主要根据炉内情况调节，大体方向是前期配比适当低点，前提料要能够吹上去，电流跟上，不必过高，表面形态要控制好，中期提高温度，料量维持，后期维持温度，适当稍微降点料，防止雾化。过程中配比不要过高，氢气是原料同时也是载体，过大带走的料就会多。

发表于 2010-2-28 11:25:31

随着反应的进行，反应气体的配比成分和温度都会发生变化

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