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请教关于硅芯击穿的几个问题

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发表于 2011-3-4 19:23:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
1、电阻太高
2、跟电阻率没必然联系 跟电阻率与被击穿硅芯总长的乘积有关 越小越易击穿
3、形状无关
这3问实质上就是一个问题,打压时先测硅芯的电阻 先打最小的那组
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发表于 2011-3-5 15:38:48 | 显示全部楼层
(1)硅芯难以击穿是什么原因造成的?
温度低,电压小,
(2)硅芯的电阻率高容易击穿还是电阻率低容易击穿?
我认为是有关系的,硅是半导体,电阻大,温度高,导电能力就高。
(3)硅芯的形状和击穿是否有关系?(比如用圆形硅芯和方型硅芯)
       关系主要看截面积的大小,从而电阻有大小之分。
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发表于 2011-4-1 10:18:30 | 显示全部楼层
硅芯阻值大不易击穿,
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发表于 2011-4-1 15:08:32 | 显示全部楼层
回复 3# luoye888
第二问有异议,硅本身是半导体,
    但是在常温下基本不导电,只有随着温度升高而逐渐偏向导体,就是说开始的时候电阻太大了是不利于击穿的,当然如果你有加热到很高温度的加热器,那也可以。
电阻率小的越容易击穿。
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发表于 2011-4-1 17:15:17 | 显示全部楼层
回复 5# 情合赢
是的,无论是高压启动还是,加热启动,都这样的。
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发表于 2011-4-2 15:08:39 | 显示全部楼层
硅的温度在130左右时,硅的电阻率会下降的很快。
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发表于 2011-3-4 11:09:31 | 显示全部楼层

(1)硅芯难以击穿是什么原因造成的?
(2)硅芯的电阻率高容易击穿还是电阻率低容易击穿?
(3)硅芯的形状和击穿是否有关系?(比如用圆形硅芯和方型硅芯)
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