三氯氢硅的氢气还原

发表于 2011-4-8 18:26:31

第一节、三氯氢硅氢气还原的反应原理

一、工艺原理

经提纯和净化的SiHCl3和H2进入蒸发器中，在20℃、0.2MPa的压力下，H2/SiHCl3 按（摩尔比）＝3.5～4：1进入还原炉，在1080℃～1100℃温度下，SiHCl3被还原，生成的硅沉积在发热体硅芯上。
SiHCl3和H2混合，加热到900℃以上，就能发生如下反应：

1-1
同时，也会产生SiHCl3的热分解以及SiCl4的还原反应：

1-2

1-3
此外，还可能有：
1-4
1-5
当氢气过量时
SiCl2+H2＝Si+2HCl
1-6

以及杂质的还原反应：

1-7

1-8
这些反应，都是可逆反应，所以还原炉内的反应过程是相当复杂的。在
多晶硅的生产过程中，应采取适当的措施，抑制各种副反应。以上反应式中，第一个反应式和第二个反应式可以认为是制取多晶硅的基本反应，应尽可能地使还原炉内的反应遵照这两个基本反应进行。
第二节、
SiHCl3氢还原反应的影响因素
1.反应温度
根据化学反应速度和化学平衡原理分析，三氯氢硅和四氯化硅的氢还原过程都是吸热反应，因此，升高温度使平衡向吸热一方移动，即有利于硅的沉积。按照理论分析，温度愈高，沉积速度愈快。但实际生产中，反应生成硅自气相向固态载体上沉积时有一个最高温度Tmax，当反应温度超过这个温度，随着温度升高沉积速率反而下降;还有一个最低沉积温度T0，高于该温度才开始反应析出硅。一般在最低沉积温度和最高沉积温度之间，沉积速率随反应温度增高而增大。

发表于 2011-4-8 20:20:39

兄弟，可否word版共享？dcgyzjj@163.com。谢谢

发表于 2011-4-8 20:24:28

本帖最后由 zaixian752 于 2011-4-8 20:27 编辑
不知道楼主有没有硅芯炉方面的资料分享下，听单位老员工说是生产硅芯作为引子的但具什么原理还不清楚。能分享相关资料吗？谢谢了
shamolvzhou80062126.com

发表于 2011-4-8 21:14:31

是不是可以共享呀！非常感谢邮箱：xiang2001yue@163.com

发表于 2011-4-8 21:48:18

呵呵，不好意思！只能说这么多了，硅芯炉的资料是保密的

发表于 2011-4-8 22:19:21

哥们，可以把Word 共享下吗？好多东西都看不到啊。

发表于 2011-4-9 08:19:21

大虾，可以做成PDF版本吗？好多图看不到。

发表于 2011-4-9 18:19:07

有 WORD形式的没啊楼主能分享发我邮箱18728380231@163.com

发表于 2011-4-20 23:50:22

以食饥渴，呵呵，若能发一份WORD 或PDF 的给我，我愿拿年产6000的还原炉构造图交换，对了我还有年产万吨的，可以交流一下

发表于 2011-4-21 08:32:31

哥们有word文件吗发一份呗谢谢445045009@qq.com

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