等离子加热技术用于多晶硅行业

由于对这个行业还不是特别熟悉，所以好多具体细节未提及。主要是怕说错了话被大家笑话。不过如果有人感兴趣，尽管提问，俺们只要知道的，定会知无不言。欢迎大家参与讨论！
先讲一下我的疑问：
1，我们的客户使用的应当是改良西门子法，其还原炉上使用了等离子，因而可以绕过高压环节。那么大家接触的多晶硅厂中，有没有考虑过用等离子加热的方法？
2，多晶硅制造工艺方法比较多，除了改良西门子法之外，其它的工艺法是否可以用到等离子加热？
[ 本帖最后由 LHY8771 于 2009-1-22 09:15 编辑 ]

现在国内多晶硅大多都采用高压打压技术了，因为很成熟，工艺操作方便，速度快
等离子体加热很少见了

我们用等离子加热，4分钟第一对硅棒导通，8分钟时全部导通。
而且实际出力还仅用到了设计功率的60%。
用高压能达到这样的效果吗？

导通了接着做什么呢？取出等离子体、置换..........如果采用氢气微正压方式还得考虑安全；
再说了高压打压的速度不比你慢，阻值配对合适1分钟打通1相4对不是难事，开炉的速度照样很快的。
国内不是没人用等离子体，不过那是多年前的事情了，现在估计已经很少了
高压打压的技术的成熟和普及，这是趋势。

请问楼主：
你的等离子用什么气体做介质的？

曾经听过一个讲座，说等离子是个烧钱的东西，不知道等离子加热和高压电感加热有什么区别呢？能请LZ说说吗？非常感谢！

用的氮气。
谢谢关注！

那还不如用高压呢，趋势。

请问一下您参加的是什么性质的讲座吗？
因为等离子体在不同温度下特性不同，应用也不同。比如太阳也是等离子体。
我对高压电感加热不熟悉，所以谈不上比较。
只说下对等离子体加热的看法：由于等离子体可以达到非常高的温度，比如5000K以上，所以可以集中产生更高的发热功率，比如我公司的设备目前可以达到200KW以上。当然，如果需要，可以调低。所以从加热角度来说可以灵活控制。
要说烧钱，我认为效率不高会不会是一个原因？因为产生超高的等离子体之后，设备自身需要冷却和保护，因而带走一部分热量，导致实际的加热效率自然降低。
不过等离子投入的时间短，耗电总量小，恐怕不会那么被在意。

等离子加热在多晶硅行业应用的不多吧，效果如何有待观察。成本安全性稳定性等没有具体的资料。