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多晶硅生产中的CDI讨论

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发表于 2008-12-10 11:27:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
CDI 尾气干法回收,
      干法回收基本原理:
    还原尾气中的H2、HC1、SiC11等成份经鼓泡,氯硅烷喷淋洗涤,加压并冷却到一定的温度,其中SiC12和SiC11几乎可以被合部冷凝下来。冷凝后的氯硅烷混合物,经分离塔分离后,分别得到SiHC12和SiHC11,SiHC13直接返回还原工序生产多晶硅,SiHC11经氢化部份转化为SiHC12,再经分离提纯后返回还原工序生产多晶硅。
    压缩、冷凝后的不凝气体是H2、HC1,其中的HC1在加压低温条件下,用SiHC11作为吸收剂使溶解在SiHC11中,即HC1被SiHC13所吸收,从而H2被分离出来,被分离出来的H2仍含有微量的HC1,为了避免HC1影响多晶硅的沉积速度,将H2再通过吸附塔,除去微量的HC1,即获得无水份无其它杂质的纯H2,返回还原工序重复使用。
    被SiCl4所吸收的HCl,在升温、减压条件下,可以从SiHC14中脱吸出来。被脱吸出来的HCl在一定压力下冷却至一定温度,可使其中的SiHC11残余组份达到允许程度后,送往氯化合成工序合成SiHC13。脱吸后的SiHC14用于吸收塔再循环。
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发表于 2009-1-26 23:11:38 | 显示全部楼层
本人从事多晶硅干法回收的设计任务,对于尾气流量变化幅度较大,如何做好整套工艺在流量剧烈变化时系统还能正常运行大家又喝好建议啊,清高手赐教阿.
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发表于 2009-1-28 16:22:00 | 显示全部楼层
如果出现自调阀堵塞或者其他故障需要局部切断维护的话,那么流速和电压一定要保持恒定。电压和流速的控制是关键。
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发表于 2009-1-28 16:26:46 | 显示全部楼层
刚开始流量小,电压相对后期来说低。
随着棒子的生长增粗,需要的流量也大,电压也适当提高一些。压力保持恒定。
尾气量也大了。换热部分的流速控制也应做出相应的增大。
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发表于 2009-2-4 16:19:55 | 显示全部楼层
难点在,时间的确定,工艺流程的确定!
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发表于 2009-2-5 10:39:31 | 显示全部楼层
难点就是转化率提不高。
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发表于 2009-2-6 04:05:26 | 显示全部楼层
难点你在于冷凝下来的料如何能够连续打。
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发表于 2009-2-8 16:36:06 | 显示全部楼层
CDI-chemical design institute
一家设计公司而已,只是他们做了完整的尾气回收工程设计,并打包卖给了出去
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发表于 2009-2-9 09:13:56 | 显示全部楼层
CDI在多晶硅行业中的i重要性不单单是回收尾气,循环利用的问题,更重要,更长远的是环境问题
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发表于 2009-2-10 12:39:53 | 显示全部楼层
从回收来看,CDI开发的干法回收技术,已能将还原及其他工序产生的尾气全部回收并加以逐一分离,这对其后的分别利用创造了极为有利的条件;
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