多晶硅生产中硅钼棒加热负载特性

请教下：在多晶硅生产工艺中，为什么硅钼棒加热负载需变压器降压？可以改用直接三相可控硅调压吗？

去了解了下生产工艺，钼棒加热丝的直径是1mm，长度2.5m。通过PID调节，控制分解炉的温度为1000±1℃。直接通过380V电压加热，因钼棒加热丝有断线可能，不利于安全生产。再就是移相控制是不是能达到控制炉温在1℃变化范围的精度要求，且在全压输出时（导通角为0）钼棒加热丝上会有非常大的电流，会造成钼棒加热丝熔断，以上为个人理解，希望有熟悉多晶硅生产的朋友指正，谢谢！

目前可控硅在离子膜烧碱行业使用的很好。在上世纪90年代,大家对可控硅技术的态度和目前多晶硅行业差不多，认为可控硅不可靠。但经过10多年的发展，可控硅在烧碱行业已经得到普遍认同。
可控硅是配合有载调压整流变压器使用的。这样通过变压器档位的合理选择，可以使可控硅装置运行在最佳的控制范围，同时尽可能提高整流变压器的功率因素（一般可达到0.9以上）。关于控制精度是小于0.1%，举例10000A的电流，波动差不多就是十几二十安培。所以说，从装置本身而言，其控制范围和精度是很好的。
关于全压输出的问题是这样的：晶闸管的几个运行参数其中之一就是控制角和导通角。控制角是指由于控制系统没有发出控制脉冲而没有输出电压的相位角。导通角是控制系统发出触发脉冲且负载情况符合导通条件时有输出电流的相位角。所以全压输出是指导通角最大的状态，而不是导通角为0的时候。
再者，大家知道一个周波为360度，而为了达到交流变直流的目的，如是单相整流的话，其有效的相位角是180度。正如楼上担心的，如果导通角过大可能会导致系统的不稳定甚至失稳。因此现在的装置都通过控制系统将导通角控制在120度范围内，以保证系统的稳定性。当然为了追求尽可能大的功率因素，导通角需要尽可能大，这可以在调试过程中测试而得。
当然，使用可控硅的控制方法会比交流调压复杂。但其平滑优异的调节性能相信大家如果使用过一定会有自己的体会的。其控制系统可直接由DCS信号控制，实现自动控制。当然，由于多晶硅还原炉的控制主要是参考其控制温度，而目前对其温度的直接检测还缺乏很好的直接手段，对其控制也带来一定的难度。
以上供大家参考，谢谢！

原帖由 zhx7540 于 2009-1-1 08:16 发表
                                
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请教下：在多晶硅生产工艺中，为什么硅钼棒加热负载需变压器降压？可以改用直接三相可控硅调压吗？
硅钼棒？不是硅芯吗？

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