硅芯电阻率击穿前后阻值变化吗？

发表于 2010-1-27 10:29:44

各位朋友，您们好。我想问问硅芯电阻率击穿前后阻值会变化吗？变大还是变下呢？有什么依据呢？
谢谢答疑！！

发表于 2010-1-27 11:14:25

你去查一下“击穿”是什么意思，就自然明白了

发表于 2010-1-27 22:02:28

你的问题是“硅芯击穿前后电阻率会变化吗？变大还是变下呢？有什么依据呢？
谢谢答疑！！”吧！
变小了

发表于 2010-1-27 23:48:39

击穿就是要让半导体变成导体，所以电阻会降低

发表于 2010-1-28 09:46:30

差一下半导体的性质和欧姆定律（电流、电压和电阻的关系），就会自然知道了

发表于 2010-1-28 11:11:09

你们说的是击穿后，还高温的情况，
我的意思是拆炉后，已经达到室温时硅芯电阻率会变化吗？

发表于 2010-1-28 16:21:22

当然是随温度的升高电阻下降

发表于 2010-1-28 21:40:54

你们说的是击穿后，还高温的情况，
我的意思是拆炉后，已经达到室温时硅芯电阻率会变化吗？
28926828 发表于 2010-1-28 11:11

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如果是拉制的硅芯，结构是介于多晶与单晶之间的，是各向异性的，而长成之后的多晶硅棒是各向同性的，电阻率当然会稍有差别

发表于 2010-1-28 11:11:00

变小了。击穿后由于硅芯发热，温度升高，电阻相应变小

发表于 2010-2-3 03:40:14

应该不会变化吧，硅芯是单晶啊

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