哪位大侠知道还原炉内的气场以及温场变化啊 讨论讨论啊

本帖最后由 mian726 于 2012-1-13 21:39 编辑
还原生产中各个时期炉内的物料浓度和炉内温度分布不同  具体是什么啊

这个不好回答；
根据化学反应速度和化学平衡原理分析，三氯氢硅和四氯化硅的氢还原过程都是吸热反应，因此，升高温度使平衡向吸热一方移动，即有利于硅的沉积。按照理论分析，温度愈高，沉积速度愈快。但实际生产中，反应生成硅自气相向固态载体上沉积时有一个最高温度Tmax，当反应温度超过这个温度，随着温度升高沉积速率反而下降;还有一个最低沉积温度T0，高于该温度才开始反应析出硅。一般在最低沉积温度和最高沉积温度之间，沉积速率随反应温度增高而增大。
在联桥90°角处是热焦点，又称为热角，此处温度很高，当超过1200℃时则产生硅腐蚀而形成凹角。因此，严格控制硅棒表面温度低于Tmax，而又要接近Tmax某一合适温度就能消除表面凸凹现象。实验测定，对于三氯氢硅氢还原这个适宜温度为1150℃。当沉积速率达到一定状态时，流量越大炉产量越高。但是流量大小与还原炉的结构和大小以及载体表面大小有关。从分子运动观点来看，载体面积与反应空间之比愈大愈好，Si分子对沉积面碰撞机会愈多，因而对提高实收率是有利的。此外，增加气体流量又能强化气体湍流（介质在流动状下，流体内部充满了大小不一的、在不断运动着的涡旋，流体质点（微团）除沿轴线方向做主体流动外，还在各个方向上做剧烈的随机运动）状态，有效地消减发热体表面的气体边界层和炉内气体分布不均匀的现象，有利于还原反应的进行。
但SiHCl3的流量不能过大，否则会造成SiHCl3在炉内的停留时间太短，使SiHCl3转化率相对降低，从而增大了尾气的含量，造成部分SiHCl3浪费；也不能过小，否则反应生成的HCl气体会在灼热的载体表面造成气体层，如果反应气体在载体周围某些部位上的循环而不足以消除这些气体层，这些部位上容易沉积出针状或其它突出物，在针状或突出点上特别有利于硅的沉积，进而发展形成小结或小瘤。相邻近的小结或小瘤连结在一起，其下面夹集气泡，致使沉积硅棒表面粗糙。
这个具体的东西我们可单独聊，这个上面无法给出曲线。

二楼说的也太专业了点吧，可不可以浅点。

可以，你的扣扣是多少啊！

luoye888 发表于 2012-1-10 08:15

                                
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这个不好回答；
根据化学反应速度和化学平衡原理分析，三氯氢硅和四氯化硅的氢还原过程都是吸热反应，因此 ...
请问哪些资料上有关于这方面的详细介绍？我想更深入的了解一点

ts0804030 发表于 2012-2-20 13:20

                                
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请问哪些资料上有关于这方面的详细介绍？我想更深入的了解一点
这个是我的理论分析，目前没有这方面的资料的