一种制备硅烷的方法

一种制备硅烷的方法【所属类目】:新工艺      【添加时间】:2012-11-23 10:19:30         本发明涉及一种制备硅烷工艺用于生产高纯度的半导体硅，用于电力电子技术，以及用于大规模集成电路生产和在微电子技术中各种含硅层和薄膜涂层的形成用的硅晶片。将锂硅化物鼓泡式反应器中，然后将反应器抽真空，加热并向内部喷入蒸馏水蒸汽，持续2-3小时，温度保持在90-95℃。 用硅化物向它处理3小时后加入几滴蒸馏水为了额外萃取硅烷形式的硅。硅烷的收率为50-53℃。本发明的结果：获得更多的纯净的硅烷，并降低过程的抗爆性。 本发明涉及一种制备硅烷工艺用于生产高纯度的半导体硅，用于电力电子技术，以及用于大规模集成电路生产和在微电子技术中各种含硅层和薄膜涂层的形成用的硅晶片。已知的几种方法是从化学工业企业中生产硅产品中制备硅烷。大多数情况下这些烷氧基团为氯或者其他卤代硅烷。已知的各种制备硅烷的方法都是利用金属硅化物与质子酸或者其他氢供体相互作用。发明的方案：本发明制备硅烷的方法是锂硅化物和氢化试剂相互作用，其中作为氢化试剂使用水蒸气和在90-95℃温度真空中实现反应。
http://www.crstinfo.com/Detail.aspx?id=12308

呵呵，这些都是比较老的工艺了，适用于小规模间歇生产，目前，浙江精功科技的连续化规模工艺是好的