碱对多晶硅的腐蚀

发表于 2011-9-21 23:10:55

在多晶硅脏料的清洗过程中，有酸洗及碱洗（NaOH+Si）两种方法，现在很多厂家都才用酸洗，下面是部分硅碱洗的资料：
1、在20%NaOH溶液中，温度为80℃，反应10分钟，硅厚度平均去掉了32μm。
　　2、在15%NaOH溶液中，温度为80℃，反应了10分钟，硅厚度平均去掉了25μm。
大家讨论一下碱洗如何？有没有哪个厂家在用呀？

发表于 2011-9-22 08:35:28

我用过30%的，常温下，也OK
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2

发表于 2011-9-22 12:39:16

腐蚀速度较酸腐蚀慢了些

发表于 2011-9-23 11:23:14

回复 1# 287789398

长见识了，学习一下

发表于 2011-9-23 13:39:33

碱腐蚀会产生氢气，容易引起爆炸，而且腐蚀下来的溶液容易粘附杂质，从而堵塞管路，
因此很少用碱腐蚀的

发表于 2011-9-23 15:15:05

HNO3+HF反应时，控制不好的话容易发热，冒黄烟（NO2）.

发表于 2011-9-24 17:28:51

我们的老冒黄烟，难道是没控制好？？？

发表于 2011-9-24 19:23:19

我认为碱洗是各向异性的，在下游的电池片的生产中会用到。但是多晶硅的生产就没必要了，会浪费很多硅料。

发表于 2011-9-26 14:53:38

单晶适合碱洗，多晶适合酸洗，这是硅料清洗的基本经验！碱的坏处在于：1、一般需要加热。2、生成的偏硅酸钠盐或者钾盐粘度高容易粘连，不易清洗。3、碱金属离子的残留容易引起石英坩埚的腐蚀。因此生产中都倾向于酸洗而非碱洗，而不是因为碱的腐蚀效果不好。

发表于 2011-9-28 09:00:11

学习了，谢谢9楼分享

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