硅芯拉制：掺杂量与电阻率的关系

发表于 2011-9-30 10:46:11

求助 ------硅芯拉制：掺杂量与电阻率的关系

发表于 2011-12-6 10:59:15

根据半导体特性：参杂（仅限3、5主族）越多，电阻率越低。

发表于 2011-12-6 17:16:37

首先根据料棒电阻率、类型及需要拉制硅芯电阻率大小，计算出
需要掺杂的量的大小。一般用B或P溶液进行喷涂。

发表于 2015-3-2 15:28:00

同意楼上观点，涂杂时候关键是要与原有硅芯的导电类型对应，例如：N型电阻率一般会涂五氧化二磷。

发表于 2011-12-7 08:47:23

掺杂目的是为了降低硅芯电阻率，加快硅芯击穿时间，以便归还原沉积反应产生，N型用五氧化二磷与乙醇溶液在硅芯表面涂层即可，至于P型目前还没找到掺杂的东东，望赐教！

发表于 2015-3-2 15:28:00

如果掺B的话使用什么东东，有知道的说一下！感谢！！

发表于 2011-12-7 10:03:57

飞翔的流体发表于 2011-12-7 10:03

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掺杂目的是为了降低硅芯电阻率，加快硅芯击穿时间，以便归还原沉积反应产生，N型用五氧化二磷与乙醇溶液在硅 ...
请问您：是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么？还是在单晶炉里面进行参杂？还有就是具体如何喷涂啊，能不能说具体点，急急急，多谢了！！

发表于 2015-3-2 15:27:00

虔诚的信徒发表于 2011-12-7 08:47

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同意楼上观点，涂杂时候关键是要与原有硅芯的导电类型对应，例如：N型电阻率一般会涂五氧化二磷。
是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么？还是在单晶炉里面进行参杂？还有就是具体如何喷涂啊，能不能说具体点，急急急，多谢了！！

发表于 2011-12-7 10:08:44

287789398 发表于 2011-12-6 17:16

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首先根据料棒电阻率、类型及需要拉制硅芯电阻率大小，计算出
需要掺杂的量的大小。一般用B或P溶液进行喷涂 ...
是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么？还是在单晶炉里面进行参杂？还有就是具体如何喷涂啊，能不能说具体点，急急急，多谢了！！

发表于 2015-3-2 15:27:31

xsl1860 发表于 2015-3-2 15:28

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是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么？还是在单晶炉里面进行参杂？还有就是具体如何喷涂啊，能不能说具体点， ...
这个是11年的帖子了，这个方法目前应该也没有人在使用了吧，以前应该是在圆硅芯表面涂，以加快击穿时间

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