多晶硅生产中C和CH4的带入和产生原因请指点一下

发表于 2011-12-15 23:40:56

另外如果多晶硅产品中C含量增加排除设备的影响应该对那些工段位置进行分析检验来查找原因啊？

发表于 2011-12-15 23:42:18

还原、氢化石墨件、4F材料
CDI活性炭
提纯吸附柱
合成中的硅粉
装置漏油
以上都可带入C

发表于 2011-12-17 16:01:16

我的意思是说单纯分析检验方面进行那些工序上的分析能进行初步的确定例如你说的氢化炉材质则是可以通过氢化尾气来分析其含量变化

发表于 2011-12-17 23:42:49

主要通过精馏塔除去含碳化合物，碳在系统中主要以甲基氯硅烷形式存在，此物难以检测，最好当你多晶硅中出现含量上升时，调整精馏工艺除去！

发表于 2011-12-18 13:41:31

精馏应该可以除去甲基氯硅烷我们做过实验精馏后明显降低
但是回收工段氯硅烷精馏过程就少了点不知道去除彻底不而且气相中的C又怎么办呢

发表于 2011-12-18 23:40:41

还原炉中的石墨有可能与氢气反应将碳带入系统，还有其他的地方！尾气等

发表于 2011-12-22 14:51:15

还原炉中的石墨有可能与氢气反应将碳带入系统，还有其他的地方！尾气等
yxiao9 发表于 2011-12-22 14:51

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你说的应该是热氢化炉吧。

发表于 2011-12-22 16:28:55

回复 17# yizhuxuan
有的，下面用来导电的！

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多晶硅生产中C和CH4的带入和产生原因 请指点一下