关于氯化氢干燥工艺

发表于 2009-7-20 16:32:13

主要采用第一种方法
请教TET脱水中SICl4怎么除啊？
望各位同仁赐教

发表于 2009-7-26 20:21:42

11# wuhao3690
四氯化硅不用除去的，反正是去合成氯硅烷的，有点四氯化硅还可抑制反应中四氯化硅的生成

发表于 2009-7-27 09:27:12

本帖最后由 danaohuigui 于 2009-8-27 20:37 编辑
用四氯化硅产生的SiO2也让人挺头疼的，可以考虑适当提高氯化氢气体的压力，降低水分的沸点，再结合第一种方法干燥，据说可达到100PPM以下，没有验证过。
对了，请教只用第一种方法达到300PPM时，是否可以正常生产，对设备的腐蚀能在可接受范围内吗？

发表于 2009-7-27 10:05:15

我感觉第一种要好点。。这方面我不太清楚一会看下资料有没答案。

发表于 2009-8-27 20:34:31

第一种深冷解析，水分含量可以控制很低，分子筛可以进一步降低水含量，一般深冷解析就达到1ppm了

发表于 2009-8-31 16:54:19

据说目前有三氯氢硅生产厂将副产的四氯化硅用于干燥氯化氢，四氯化硅吸收氯化氢中的水分生成白炭黑

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