关于多晶硅生长速度的几个概念

发表于 2010-7-9 14:41:30

多晶硅在还原炉内沉积过程中的几个概念：沉积速度、沉积速率、径向平均速度，有什么区别？

发表于 2010-7-9 14:52:28

沉积速度是指在还原反应中单位时间内沉积硅的重量。
所谓沉积速率，是指还原反应中单位时间、单位载体长度上沉积硅量；
即从开始到结束，平均每小时所沉积的硅棒径向增长长度。

发表于 2010-7-9 14:58:57

那第三个呢？怎么理解

发表于 2010-7-9 21:02:07

径向平均速度就是从进料开始硅棒直径到停炉时所获得的直径除以生长时间

发表于 2010-7-9 23:33:12

回复 3# dwj119110dwj
第三行（第三句）就是径向生长速率

发表于 2010-7-9 23:35:36

回复 4# 情合赢
其实我自己的想法是：径向生长速率，即从开始到结束，平均每小时所沉积的硅棒径向增长长度，是厚度的增长，即增长半径之差/t。
是谁规定的是，直径之差/t 呢？？？

发表于 2010-7-10 08:42:26

回复 6# jesscy
楼主是问径向平均速度啊，不是速率哦。

发表于 2010-7-10 08:49:54

回复 7# 情合赢
那速度是应该有方向性的，速率没有
所以我才觉得应该是径向增长的厚度——半径之差/t a啊

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