还原炉雾化如何控制

我们降三氯氢硅量 提氢气量  适当降低电流

后期温度应该适当降低，同配比降料应该是比较理想的生长环境，考虑到炉内空间减少，硅棒占用气体混合空间，密度变大，气体流向受硅棒影响，使硅棒表面形成气体边界，气体分布不均，造成温度失衡，加重雾化反应。

回复 11# 332884531
    这样做可以达到简单统一，容易操作。但后期横梁容易黯淡，夹角温高熔断，自动跳闸。

回复 1# yuan小俊
    原因很简单，进料温度太低，摩尔比控制应该在0.3    H2是过量的，TCS进料量太大，温度上不去！

后期温度高，三氯氢硅料量大，在气场空间中就反应了，首先应降电流降低电耗，其次降料，提高配比，实在雾化严重就开氢气调配比！~

回复 15# sanmily
    说的没错，主要就是那几部。我们这边汽化器是混合后进料，所以还得调汽化器温度、压力。