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多晶硅生产中的CDI讨论

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发表于 2009-2-14 11:03:06 | 显示全部楼层
CDI的回收工艺的确非常好用。希望国内有设计院或机构能够吸收,转化成国产化,使国内的技术力量能够大大提高,这样也可减少企业的投资。
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发表于 2009-2-14 11:31:43 | 显示全部楼层
有没有喷淋洗涤后,对氯硅烷的含量的要求!?
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发表于 2009-2-24 11:17:34 | 显示全部楼层
回收中分离效果的好坏,直接决定了多晶硅生产成本。所有成份都可实现闭路循环的再利用。只须除去的就是通过精馏出来的四氯化硅!
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发表于 2009-2-24 12:23:46 | 显示全部楼层
我认为如果还原尾气流量变化很大,在进CDI工序时会有很大压力波动,可以通过在前面加装一个尾气缓冲罐,可以稳定尾气进入CDI的流量
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发表于 2009-2-24 12:26:24 | 显示全部楼层
有,因为洗涤后的氯硅烷要去精馏,精馏工序对原料有要求
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发表于 2009-3-8 15:25:25 | 显示全部楼层
尾气流量的波动在短时间内是不大的,只要作好尾气回收工艺自身压力控制,一般不会出现大问题。本人的同事在尾气工序工作近从没发现过类似的问题。
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发表于 2009-3-24 19:16:51 | 显示全部楼层
cdi分离出的STC最后在工艺中越积越多,最后还是要卖掉的,我现在想知道HCL在氯硅烷中的溶解度,以及在控制还原尾气压力时的稳定性有多高?
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发表于 2009-3-25 20:13:34 | 显示全部楼层
HCL在氯硅烷中溶解度只有美国佬有哦
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发表于 2009-4-5 15:54:28 | 显示全部楼层
本公司也是使用干法回收工艺,对吸收后的气体(包括氢气、少量氯硅烷、氯化氢)进行吸附,根据亨利定律,在高压低温条件下,吸附效果好,一般控制在0.4~0.45Mpa,100~115度对尾气进行吸附。不过现在,从回收氢气的质量来看,能够达到生产太阳能级要求指标,但对产品质量进一步提高留下很大障碍。也是我现在比较头疼的问题,因为还影响到TCS 合成部门的运行
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发表于 2009-4-15 19:42:01 | 显示全部楼层
鼓泡?
现在早就不采用这种方式了,只是CDI早期在给新光的设计中用这种技术
现在基本上采用4级冷凝技术,循环水,物料换热,冷冻盐水,R507冷却冷凝下来大量的氯硅烷。
H2和HCI在于压缩系统给出的操作压力是否够高,而后分离出来的操作重点在于吸收和脱吸的操作当中,特别是HCI,效果都还不是特别理想。
H2的话在于吸附系统的操作!
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