多晶硅生产中露点等几项指标的控制
1:主要原辅材料1
〕纯SIHCL3::Fe≤ 10ppbB≤0.03ppbp ≤ 0.1ppb Al≤10ppb
纯H2:露点
≤ -50℃ O2≤5ppm
2〕硅芯:直径¢7-8mm
有效长度:2.800米
N
型:电阻率50~250欧姆
弯曲度:
≤3/1000
3〕:N2气:含N2 ≥ 99.99%,氧 ≤5PPm
露点:≤-50℃
4〕:纯水:电阻率 10≥欧姆 , Al≤ 4ppm Cu≤ 0.8ppbCa≤ 4ppb B≤ 0.3ppb
P≤ 0.5ppb
5〕石墨:光谱纯,调密质,内部结构均匀,无空洞,灰分≤ 0.01%,比电阻≤20欧姆
抗压强度≥900kg/cm2,假比重≥1.8g/Cm3
硬度45-80Kg/Cm2,加工成型后,经水浸泡,纯水煮至中性,干燥,高温煅烧后备用
不知道这个控制指标是哪个多晶硅厂的,看起来要求很低的哦! 这是别人找我们给他选露点仪时给的指标,难道在具体生产中比这个更高吗? 呵呵,这个参数好少啊,要是齐全点也好啊 谢谢分享!!!!!!!!! 谢谢你,学到了很多,会继续学习 B,P还可以
氢气氮气的露点太低了,氢气最好是-60度,氮气根据公司实际调整
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