dwj119110dwj 发表于 2010-7-9 14:41:30

关于多晶硅生长速度的几个概念

多晶硅在还原炉内沉积过程中的几个概念：沉积速度、沉积速率、径向平均速度，有什么区别？

jesscy 发表于 2010-7-9 14:52:28

沉积速度是指在还原反应中单位时间内沉积硅的重量。
所谓沉积速率，是指还原反应中单位时间、单位载体长度上沉积硅量；
即从开始到结束，平均每小时所沉积的硅棒径向增长长度。

dwj119110dwj 发表于 2010-7-9 14:58:57

那第三个呢？怎么理解

情合赢 发表于 2010-7-9 21:02:07

径向平均速度就是从进料开始硅棒直径到停炉时所获得的直径除以生长时间

jesscy 发表于 2010-7-9 23:33:12

回复 3# dwj119110dwj
    第三行（第三句）就是 径向生长速率

jesscy 发表于 2010-7-9 23:35:36

回复 4# 情合赢
    其实我自己的想法是：径向生长速率，即从开始到结束，平均每小时所沉积的硅棒径向增长长度，是厚度的增长，即 增长半径之差/t。
是谁规定的是，直径之差/t 呢？？？

情合赢 发表于 2010-7-10 08:42:26

回复 6# jesscy
楼主是问径向平均速度啊，不是速率哦。

jesscy 发表于 2010-7-10 08:49:54

回复 7# 情合赢
    那速度 是应该有方向性的，速率没有
    所以我才觉得应该是径向增长的厚度——半径之差/ta啊
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