请教关于硅芯击穿的几个问题

硅儿子 发表于 2011-3-4 19:23:07

1、电阻太高
2、跟电阻率没必然联系跟电阻率与被击穿硅芯总长的乘积有关越小越易击穿
3、形状无关
这3问实质上就是一个问题，打压时先测硅芯的电阻先打最小的那组

luoye888 发表于 2011-3-5 15:38:48

（1）硅芯难以击穿是什么原因造成的？
温度低，电压小，
（2）硅芯的电阻率高容易击穿还是电阻率低容易击穿？
我认为是有关系的，硅是半导体，电阻大，温度高，导电能力就高。
（3）硅芯的形状和击穿是否有关系？（比如用圆形硅芯和方型硅芯）
关系主要看截面积的大小，从而电阻有大小之分。

dongdong123 发表于 2011-4-1 10:18:30

硅芯阻值大不易击穿，

情合赢 发表于 2011-4-1 15:08:32

回复 3# luoye888
第二问有异议，硅本身是半导体，
但是在常温下基本不导电，只有随着温度升高而逐渐偏向导体，就是说开始的时候电阻太大了是不利于击穿的，当然如果你有加热到很高温度的加热器，那也可以。
电阻率小的越容易击穿。

luoye888 发表于 2011-4-1 17:15:17

回复 5# 情合赢
是的，无论是高压启动还是，加热启动，都这样的。

hwwshirley 发表于 2011-4-2 15:08:39

硅的温度在130左右时，硅的电阻率会下降的很快。

kitewxg 发表于 2011-3-4 11:09:31

（1）硅芯难以击穿是什么原因造成的？
（2）硅芯的电阻率高容易击穿还是电阻率低容易击穿？
（3）硅芯的形状和击穿是否有关系？（比如用圆形硅芯和方型硅芯）

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