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justin0326 发表于 2010-1-7 10:58:48

硅芯击穿问题

本帖最后由 xingxing916 于 2011-12-23 10:36 编辑
硅芯安装好后需高压击穿，想求助击穿的作用？硅为什么会在高温的硅芯上沉积？产生的硅块对后期电流电压有何关联？谢谢不吝赐教

硅去来兮 发表于 2010-1-7 11:00:18

不击穿硅芯怎么变成导体，你反应的温度从哪儿得来呢。

yang2122036 发表于 2010-1-7 12:18:04

击穿后才可以使硅芯表面通电，高温下三氯氢硅被氢气还原成晶体硅沉积于硅芯表面。
下面是它的反应式：
2SiHCl3+H2=Si+SiCl4 +2HCl+H2

justin0326 发表于 2010-1-7 12:36:02

为何硅不会沉积在硅芯外的其他地方，比如炉壁

Minos 发表于 2010-1-7 13:46:38

炉壁有冷却，温度不够啊，你要是把冷却水停了，还不是一样沉积

justin0326 发表于 2010-1-8 15:44:48

大侠，我要的是原理，个人觉得低温处应该更容易沉积啊，

poqwie007 发表于 2010-1-8 21:30:57

6# justin0326
晕。。。。
反应温度 是1080-1100℃， 跟低温不低温沉积有什么关系，。。。
你以为是 冷却结晶啊。。。
只是 气相沉积反应，需要反应条件的

炸你象猪头 发表于 2011-12-23 10:18:47

这个反应是需要在高温下的反应, 最基本的条件都不满足怎么搞生产.

maxwell_112 发表于 2011-12-24 13:10:55

回复 1# justin0326
   硅芯安装好后需高压击穿，想求助击穿的作用？硅为什么会在高温的硅芯上沉积？产生的硅块对后期电流电压有何关联？谢谢不吝赐教
看来是新人，依次回答如下：
1.硅属于半导体，电阻非常大（即导电性能差），需要前期较高的电压击穿才能导电（当然还有其他方式可以辅助硅芯击穿，如碳棒加热、卤素灯等）。
2.三氯氢硅还原反应属于气相沉积反应，需要一定的温度，一般是1080℃，而只有硅芯才能提供如此高的温度，因此反应出来的硅才会在硅芯上沉积。
3.随着硅在硅芯上的沉积，硅棒直径逐渐变粗，电阻逐渐变小。如果电流不变的情况下，电压是要下降的，但实际生产上是电流变大，电压下降的。
希望解答了你的疑问

butingdeyu 发表于 2011-12-24 13:45:31

其实楼主想知道的是：电流有吸附性。 如果没通电，就算有温度，物料。会发生反应。生产单质硅。但不会沉积在硅棒上。被尾气带走。

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