多晶硅的电阻率测试

电阻率如何测试阿？

参考：
GB 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

恩，楼上的已经说的很清楚了，楼主可以查一下相关标准，这方面的资料很多的。

网上查得，供参考：
两探针电阻率测试仪按照我国国家标准及美国材料与试验协会（ASTM） 推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适用于测量横截面积均匀的 圆形、方形、或矩形单晶锭的电阻率。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，因此两探针法的测量精度一般优于四探针法。特别是对多晶材料的测量，由于多晶晶粒间界处，杂质局部偏析可能导致电阻率较大变化，这种影响对 四探针法更为严重，故不推荐用四探针法测量多晶材料的电阻率。

一般晶片采用四探针，晶棒细的采用二探针，大直径的也可以用四探针，问下厂家的人更详细了。

好好参考GB 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法看一下！