谈谈氮对多晶硅制备的影响

发表于 2009-3-12 15:37:17

多晶硅生产中, 三氯氢硅TCS进西门子CVD反应器前,在储罐中需要N2保护. 那么溶解在TCS中的
微量N对CVD反应有何影响? 大家谈谈看法.

发表于 2009-3-12 17:52:40

貌似没有什么影响哦，只要氮气是合格的

发表于 2009-3-12 18:31:45

据我所知，好像没什么影响

发表于 2009-3-12 20:25:14

高纯氮气的影响，腐蚀较小那确实的话i
[ 本帖最后由 fantian 于 2009-3-12 01:38 编辑 ]

发表于 2009-3-12 20:39:14

一般为
99.999%的氮气露点-60

发表于 2009-3-13 14:48:18

5N的氮，露点-60

发表于 2009-3-13 15:01:52

在SL中溶解度很小，同时又不会液化！！
影响可忽略！

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