多晶硅生产效率低能耗高的根本原因

三氯氢硅为原料的西门子工艺及其改进：
氢还原的主反应： H2+SiHCl3 →Si+3HCl（1050℃）
其他反应：
SiHCl3→Si+3SiCl4+2H2（三氯氢硅的热分解）
SiCl4+2H2→Si+4HCl（四氯化硅的二次反应）


每一种反应的平衡转化率都相当高，因此造成多晶硅生产效率低能耗高的根本原因不在于反应体系的选取，而在于反应器的结构不合理，正是由于钟罩型反应器的固有缺点——发热体形成的沉积面积小，使得这些工艺的改进难以对多晶硅的生产产生质的突破。在流化床反应器中，粒子比表面积大，传热传质效率高，因此很适合于多晶硅沉积反应。